Infineon SPB04N60C3ATMA1

Отличный выбор! Infineon SPB04N60C3ATMA1 — это высоконадежный и эффективный силовой MOSFET-транзистор, широко используемый в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других преобразовательных приложениях.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

SPB04N60C3ATMA1 — это N-канальный MOSFET на основе передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Эта линейка является наследником знаменитых CoolMOS™ и оптимизирована для работы в жестких коммутационных режимах (жесткое переключение, hard switching), которые типичны для большинства импульсных источников питания.

Ключевая особенность: Технология C3 обеспечивает выдающееся соотношение низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и заряда затвора (Qg), что напрямую ведет к снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в топологии Boost.
• Преобразователи для освещения (LED-драйверы).
• Обратноходовые и прямоходовые преобразователи.

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: CoolMOS™ C3
• Корпус: TO-263-3 (D²PAK), также известный как SOT-404. Это корпус для поверхностного монтажа (SMD) с мощной теплоотводящей площадкой.
• Полярность: Enhancement Mode (нормально закрытый)

Электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное):

1. Напряжение "сток-исток" (V_DSS): 600 В - Позволяет работать в сетях 220В с запасом.
2. Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.45 Ом (макс.) при V_GS=10 В. Очень низкое значение для своего класса.
3. Постоянный ток стока (I_D): 4 А (при T_C=100°C) - Указывается с учетом нагрева корпуса.
4. Импульсный ток стока (I_DM): 16 А - Важно для пиковых нагрузок.
5. Заряд затвора (Q_g) (тип.): 18 нКл (при V_GS=10 В). Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение.
6. Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.0 - 5.0 В (стандартное для большинства ШИМ-контроллеров).
7. Емкость "вход-выход" (C_oss): ~ 45 пФ (тип.) - Низкая паразитная емкость.
8. Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 156 Вт (при T_C=25°C). На практике мощность ограничивается возможностями теплоотвода.

Прямые парт-номера (Direct Replacements / Cross-Reference)

Эти модели имеют идентичные или практически идентичные характеристики, расположение выводов (pin-to-pin) и корпус. Их можно использовать для прямой замены в большинстве случаев:

• STMicroelectronics: STP4NK60Z, STP4NK60ZFP (в корпусе TO-220F, требует проверки монтажа)
• Fairchild/ON Semiconductor: FCP4N60, FCP4N60S
• Vishay/Siliconix: SPA04N60C3
• International Rectifier (IR): IRFB4N60A (более старая технология, проверять динамические характеристики)

Совместимые и аналогичные модели (Close Equivalents / Alternatives)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (600В, ~4А), но могут отличаться технологией, Rds(on), Qg или корпусом. Требуется проверка по datasheet и, возможно, подстройка схемы управления (драйвера):

• Infineon (другие серии):
  • SPA04N60C3 (предшественник в корпусе TO-220, сквозной монтаж)
  • IPP4N60C3 (в корпусе TO-220 FullPAK)
  • IPB04N60C3 (в корпусе TO-263, аналог, но может быть из другой партии/маркировки)
• STMicroelectronics: STP4NK60FP, STP4N60 (более старые технологии, обычно с худшими динамическими параметрами).
• ON Semiconductor: NCE4N60, NCE4N60C (аналоги хорошего качества).
• Toshiba: TK4A60W (технология DTMOS IV).
• Модели с немного другими токами, но в том же корпусе и классе:
  • SPP06N60C3 (6А, Rds(on) ~0.28 Ом) - более мощный аналог.
  • SPP03N60C3 (3А) - менее мощный аналог.

Важные замечания при замене:

1. Корпус: Всегда сверяйте тип корпуса (SMD TO-263 или сквозной TO-220). Замена на другой корпус требует изменения монтажа на плате.
2. Динамические характеристики: Для высокочастотных или критичных к КПД схем обязательно сравнивайте Q_g, C_iss, C_oss и R_DS(on). Существенные отличия могут потребовать изменения параметров драйвера затвора (резистора, тока заряда).
3. Внутренний диод: У CoolMOS C3 есть быстрый внутренний диод (body diode), но его характеристики (время восстановления, trr) могут отличаться у аналогов.
4. Даташит: Перед заменой всегда изучайте официальный даташит (Datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога.

Рекомендация: Для гарантированной надежности и сохранения заявленных характеристик устройства лучшей заменой является оригинальный Infineon SPB04N60C3ATMA1 или его прямые парт-номера от крупных производителей, указанные выше.