Infineon Spb11n60s5

Отличный выбор! Infineon SPP11N60S5 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET-транзистор, который широко использовался в импульсных блоках питания (ИБП) средней мощности. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

SPP11N60S5 — это N-канальный MOSFET, выполненный по суперджанкционной технологии (Superjunction). Ключевые преимущества — низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокая скорость переключения при сохранении хорошей устойчивости к перегрузкам. Это делает его идеальным для:

• Импульсных источников питания (SMPS) в бытовой электронике, ПК, мониторах.
• Схем коррекции коэффициента мощности (PFC).
• Импульсных преобразователей (forward, flyback, half-bridge).
• Схем управления двигателями (в менее требовательных приложениях).

Технические характеристики (основные)

• Тип: N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode.
• Технология: CoolMOS™ (аналог Superjunction).
• Напряжение "сток-исток" (Vds): 600 В - основной запас для работы в сетях 220В.
• Ток стока (Id): 11 А (при температуре корпуса 25°C).
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.38 Ом (макс. при Vgs=10 В) — отличный показатель для своей ценовой категории, означает меньшие потери на нагрев.
• Заряд затвора (Qg): 45 нКл (тип.) — влияет на легкость управления и частоту переключения.
• Энергия включения (Eon): 48 мкДж (тип.) — параметр для расчета динамических потерь.
• Корпус: TO-220 — самый распространенный, удобен для монтажа на радиатор.
• Упаковка: Обычно поставляется в тубусе или россыпью.

Важные предельные параметры:

• Максимальная мощность рассеяния (Pd): 190 Вт (на радиаторе, при Tc=25°C).
• Напряжение "затвор-исток" (Vgs): ±30 В (макс.). Обычно управление осуществляется напряжением +10...+15 В.
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C.

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Этот транзистор имеет множество прямых аналогов от других производителей с идентичными или очень близкими параметрами. Часто они взаимозаменяемы.

Прямые аналоги (с максимально близкими характеристиками, часто 1:1):

• STMicroelectronics: STP11NM60, STP11NK60Z (с защитным диодом), STW11NK60Z.
• Fairchild/ON Semiconductor: FCP11N60, FCPF11N60.
• Vishay/Siliconix: SUD11N60-85.
• Power Integration (в схемах ИБП): Часто используется как аналог.
• NXP (Philips): P11NK60ZFP.
• IR (International Rectifier): IRFB11N60A.
• Chinese brands: часто маркируются просто как 11N60 (но качество может варьироваться).

Совместимые модели (с лучшими или похожими параметрами, но требуют проверки по datasheet):

• Более новые/эффективные (меньше Rds(on)):
  • Infineon SPP11N60C3 (более новая серия CoolMOS C3, Rds(on)=0.19 Ом).
  • Infineon IPA60R280P7 (транзистор в корпусе TO-220 FullPAK, 600В, 11А, Rds(on)=0.28 Ом).
• С близкими параметрами (можно ставить в большинство схем):
  • 10N60 (10А, 600В) — если запас по току позволяет.
  • 12N60 (12А, 600В) — чуть более мощный.
  • 13N60 (13А, 600В).
  • KSH11N60 (от KEC).
  • 2SK3562 (от Toshiba).

Критические замечания по замене и применению

1. Всегда сверяйтесь со схемой (datasheet)! Перед заменой проверьте ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg и корпус. Особенно важно в высокочастотных схемах.
2. Полярность: N-канальный MOSFET — это не биполярный транзистор. Для его открытия на затвор относительно истока нужно подать положительное напряжение (обычно +10В).
3. Чувствительность к статике: MOSFET чувствителен к электростатическому разряду (ESD). Работайте с ними с осторожностью, используйте антистатический браслет.
4. "Body-Diode": Внутри транзистора есть паразитный диод (от истока к стоку). В схемах, где этот диод работает (например, в мостовых схемах), его характеристики (скорость восстановления) тоже важны.
5. Пайка: При пайке соблюдайте температурный режим (не более 300°C в течение 5-10 секунд), чтобы не повредить кристалл.

Где используется?

Транзистор можно найти в блоках питания:

• Старых и современных LCD/LED-телевизоров.
• Компьютерных БП (десктопные ATX).
• Мониторов.
• Зарядных устройств для ноутбуков.
• Светодиодных драйверов.
• Инверторов.

Вывод: Infineon SPP11N60S5 — проверенный временем, надежный и недорогой транзистор для силовой электроники. Благодаря огромному количеству прямых аналогов его легко найти и заменить в случае ремонта.