Infineon SPP06N80C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPP06N80C3.

Общее описание

SPP06N80C3 — это N-канальный силовой MOSFET транзитор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Эта серия является третьим поколением знаменитой линейки CoolMOS и оптимизирована для достижения выдающегося баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg).

Ключевая идея: Технология C3 обеспечивает высокий КПД, особенно в жестких режимах переключения (например, в импульсных источниках питания с жесткой коммутацией - hard-switching topologies), таких как PFC (корректор коэффициента мощности), LLC-резонансные преобразователи и инверторы.

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Низкие коммутационные потери и потери на проводимость.
• Высокая надежность: Расширенная область безопасной работы (SOA) и высокая стойкость к динамическому включению (dv/dt).
• Оптимизация для работы от 400В шины: Идеально подходит для сетевого напряжения 85-265 В (после выпрямления и PFC).
• Планарная (стандартная) технология: Обеспечивает стабильность параметров и предсказуемость работы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | — | Технология CoolMOS™ C3 | | Корпус | TO-220 | — | Пластиковый, с отверстием для крепления | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 800 | В | Максимальное напряжение отключения | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 6.3 | А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 25 | А | — | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.65 | Ом | Типовое значение при VGS=10V, ID=3.15A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | Стандартный диапазон | | Заряд затвора (Qg) | ~28 | нКл | Типовое значение, ключевой параметр для драйвера | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 | Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 | °C | Рабочий диапазон |

Ключевые особенности технологии CoolMOS C3:

• Низкий Qg x RDS(on): Оптимальное произведение, что означает хорошую управляемость и низкие потери.
• Встроенный обратный диод (Body Diode): Имеет достаточно высокое время обратного восстановления (trr), что важно учитывать в некоторых схемах.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Парт-номер — это уникальный код производителя. Для данной модели это SPP06N80C3. Однако существуют разные варианты в зависимости от корпуса и упаковки (тюбик/рулон).

• SPP06N80C3: Основной номер для транзистора в корпусе TO-220.
• SPP06N80C3-01: Часто указывает на упаковку в рулоне/катушке для автоматического монтажа.

Важно: Всегда проверяйте полный номер на корпусе устройства.

Совместимые модели / Прямые и функциональные аналоги

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: VDSS ≥ 800В, ID ≈ 6-7А, корпус TO-220, низкое RDS(on). Схемы, где используется этот транзистор, часто допускают замену на модели с лучшими или близкими характеристиками.

1. Аналоги от Infineon (рекомендуется в первую очередь)

• SPP07N80C3: Ближайший аналог с немного большим током (7А) и чуть меньшим RDS(on) (~0.55 Ом). Часто используется взаимозаменяемо.
• SPP08N80C3 / IPP08N80C3: Более мощные версии (8А, RDS(on) ~0.45 Ом). Подходят для замены с запасом по мощности.
• IPA60R280C7 / IPP60R280C7: Транзисторы из более новой и эффективной линейки CoolMOS™ C7 (700V). Имеют значительно лучшее соотношение RDS(on)/Qg. При замене на 600-вольтовые C7 (например, IPA60R280C7) в схемах с PFC (где напряжение на транзисторе редко превышает 400-450В) можно получить выигрыш в КПД. Требует проверки по напряжению в конкретной схеме.

2. Аналоги от других производителей (функционально совместимые)

Эти модели имеют схожие электрические параметры и часто используются в схемах-аналогах блоков питания.

• STMicroelectronics:
  • STP6N80K5 (серия MDmesh™ K5) — очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог.
  • STW6N80K5 (в корпусе TO-247).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP6N80 (серия SuperFET®).
  • FDP6N80NZ (с улучшенным встроенным диодом).
• Vishay:
  • SUP6N80-23 (серия PowerMOS).
• Power Integration (в составе топ-чипов):
  • Хотя это не прямой аналог, в ремонте часто заменяют сборки PI (например, в маломощных БП), где силовой ключ встроен в микросхему.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS): Основная сфера.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC) в БП для ПК, серверов, телевизоров.
  • Силовые ключи в LLC-резонансных полумостовых/полномостовых схемах.
• Инверторы и преобразователи: Для управления двигателями, в системах ИБП.
• Схемы жесткого переключения (hard-switching): Где критичны потери на включение/выключение.

Важное примечание по замене

При замене, особенно на аналоги от других производителей или более новые поколения (C7, C8), обязательно необходимо:

1. Проверить соответствие цоколевки (pinout) корпуса TO-220.
2. Убедиться, что параметры управляющего драйвера (особенно пиковый ток) достаточны для работы с зарядом затвора (Qg) нового транзистора.
3. В критичных по надежности схемах (PFC, мостовые схемы) проверить характеристики встроенного обратного диода (trr, Qrr), так как они могут существенно различаться и влиять на нагрев и выбросы напряжения.