Infineon SPP20N65C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon SPP20N65C3.

Описание

SPP20N65C3 — это N-канальный MOSFET транзистор на основе передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3) от Infineon. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания (SMPS), особенно там, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS C3: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для своего класса, что приводит к меньшим коммутационным потерям и более высокой энергоэффективности.
• Высокое напряжение сток-исток: 650 В позволяет использовать его в сетевых схемах (85-265 В AC) с хорошим запасом по напряжению.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, что важно для высокочастотных преобразователей.
• Повышенная надежность: Обладает высокой устойчивостью к лавинным пробоям (100% тестирование) и отличными характеристиками безопасной рабочей области (SOA).
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard Switching): Идеален для типовых топологий: прямоходовой (Forward), двухтактный (Push-Pull), мостовой (Bridge) преобразователь.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для промышленного оборудования.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и драйверы для освещения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Super Junction (CoolMOS C3) | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с отверстием для крепления. | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 650 В | Максимальное постоянное напряжение. | | Ток стока (Id) при 25°C | 20 А | Постоянный ток в открытом состоянии. | | Ток стока (Id) при 100°C | 12.6 А | С учетом перегрева кристалла. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.19 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=10 А. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | 67 нКл (тип.) | Влияет на потери при переключении. | | Входная емкость (Ciss) | 2070 пФ (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 156 Вт | При Tc=25°C. На практике ограничивается теплоотводом. | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 0.95 мкКл (тип.) | Низкое значение, важно для PFC и мостовых схем. | | Температура хранения/перехода | от -55 до +150 °C | Максимальная Tj = 150°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги и аналогичные модели от Infineon (в других корпусах):

Эти модели имеют схожие или идентичные электрические параметры кристалла, но могут отличаться корпусом.

• IPW20N65C3 — аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший теплоотвод.
• IPP20N65C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPak (полностью пластиковый, без металлической площадки).
• SPP20N65C3 (рассматриваемая модель) — в стандартном TO-220.
• SPP20N65C3FKSA1 — часто тот же чип, но может относиться к лоту для автоматического монтажа (на ленте, reel).

2. Совместимые / альтернативные модели от других производителей:

Важно: При замене необходимо сверять не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические (Qg, Qrr), а также цоколевку. Эти модели являются функциональными аналогами.

• STMicroelectronics: STF20N65M5, STP20N65M5. Технология MDmesh™ M5.
• ON Semiconductor: FCP20N65, NCE20TK65. Нужно проверять даташит.
• Fairchild/ON Semi: FCP20N60 (600В, но часто используется в том же диапазоне). Менее прямой аналог.
• Vishay Siliconix: SUD20N65-85.
• Power Integration (в составе их ChipSwitch): Могут использоваться в схемах, но это не прямое замещение.

3. Модели-заменители в других линейках Infineon (более новые/старые поколения):

• Более новое поколение (C6/C7): Обладают лучшими характеристиками (ниже Rds(on) или Qg). Например: SPP20N65C7 (но нужно проверять доступность и цену).
• Предыдущие поколения (C2, CP): Могут быть использованы, но с потенциально немного более низким КПД. Например: SPP20N65C2.

Рекомендации по замене

1. Приоритет: Лучше всего использовать прямой аналог в той же серии (SPP20N65C3) или его версии в других корпусах (IPW20N65C3, IPP20N65C3).
2. Проверка параметров: При замене на модель другого производителя обязательно сравнивайте даташиты, особенно:
   • Vds (должен быть не менее 650В).
   • Rds(on) (желательно не выше).
   • Qg и Qrr (влияют на динамические потери и нагрев драйвера). Значительное отличие может потребовать проверки работы схемы.
   • Цоколевка (Pinout) для корпуса TO-220 стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но всегда нужно уточнять.
3. Поколения технологий: Замена на более новое поколение (например, C3 на C7) почти всегда безопасна и улучшает параметры. Обратная замена (на более старое) может привести к повышенному нагреву.

Этот транзистор является надежным и популярным решением для построения мощных и эффективных импульсных источников питания.