Infineon SPW11N60S5

Отличный выбор! SPW11N60S5 — это мощный и надежный полевой транзистор (MOSFET) от Infineon, пользующийся популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание и технические данные.

Краткое описание

Infineon SPW11N60S5 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ S5). Это ключевое преимущество: технология обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении, что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общей эффективности устройства.

Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): особенно в корректорах коэффициента мощности (PFC) и силовых каскадах.
• Инверторы и преобразователи частоты.
• Системы освещения (LED-драйверы, балласты).
• Устройства резервного питания (UPS).

Ключевые технические характеристики

В таблице ниже приведены основные параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Super Junction Technology (CoolMOS S5) | | Упаковка | TO-247 | Стандартный мощный корпус, удобен для монтажа на радиатор. | | Структура | Планар | | | Ключевое напряжение | | | | V_DSS (Напряжение "сток-исток") | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | V_GS (Напряжение "затвор-исток") | ±30 В | Максимальное напряжение на затворе. Обычно управление +10...15В. | | Ток | | | | I_D (постоянный ток стока) | 11 А | При T_c=25°C (температура корпуса). | | I_D (импульсный ток стока) | 44 А | | | I_DM (пиковый ток) | 44 A | | | Сопротивление | | | | R_DS(on) (сопр. "сток-исток" в откр. сост.) | 0.38 Ом | Ключевой параметр! При V_GS=10 В. Низкое значение = меньше потерь на нагрев. | | Пороговое напряжение затвора | | | | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора | | | | Q_g (полный заряд) | 38 нКл | При V_GS=10 В. Влияет на сложность драйвера и скорость переключения. | | Q_gd (заряд Миллера) | 8.5 нКл | Критичный параметр для устойчивости к "самооткрыванию". | | Прочие параметры | | | | P_tot (Макс. рассеиваемая мощность) | 156 Вт | При T_c=25°C (с радиатором). | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | T_j max (Макс. темп. p-n перехода) | 150 °C | | | R_thJC (Тепловое сопр. переход-корпус) | 0.8 К/Вт | |

Главные преимущества модели S5:

1. Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость и переключение.
2. Высокая надежность: Улучшенная устойчивость к перегрузкам.
3. Отличное соотношение цена/производительность.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Обычно у одной и той же физической модели может быть несколько вариантов маркировки в зависимости от упаковки или региона.

• Основной номер: SPW11N60S5 (одиночный прибор в трубке/коробке).
• Альтернативная маркировка от Infineon: Может встречаться как SPW11N60S5-03 или подобные, указывающие на незначительные ревизии или упаковку.
• Популярный аналог в корпусе TO-220: SPP11N60S5 (такие же параметры, но в меньшем корпусе TO-220, с меньшей рассеиваемой мощностью ~125Вт).

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (заряды, емкости) для сохранения рабочих характеристик схемы.

Рекомендуемые аналоги (с очень близкими параметрами):

1. STMicroelectronics:

   • STP11N60M6 (MDmesh™ M6) - Очень близкий аналог по технологии и параметрам.
   • STP11N60K5 (MDmesh™ K5) - Немного другие динамические характеристики.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP11N60 (SuperFET®) - Хороший аналог.
   • 11N60C3 или аналоги из линейки CoolMOS.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUP11N60-23 (или аналоги из серии HiPerFET™).

4. Power Integrations:

   • Могут использоваться в составе их решений, но как дискретный компонент реже.

5. Другие китайские/тайваньские производители:

   • HU11N60S5 (HUAHONG) - Часто встречается как прямой клон.
   • Аналоги от Jiangsu Changjiang (JCST), NCE Power, INA.

Важное замечание по совместимости:

• TO-247 vs TO-220: Аналог в корпусе TO-220 (например, SPP11N60S5) можно использовать только если позволяет тепловой режим (меньшая рассеиваемая мощность). Монтажные отверстия разные.
• Перед заменой всегда рекомендуется:
  1. Сравнить даташиты по ключевым параметрам: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, Q_gd.
  2. Проверить цоколевку (pinout) — для TO-247 она обычно стандартная (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но бывают исключения.
  3. Учесть возможную разницу в паразитных емкостях, что может повлиять на работу на высоких частотах.

Вывод: SPW11N60S5 — это современный, эффективный и популярный MOSFET, для которого существует множество прямых и близких аналогов на рынке. При замене основное внимание стоит уделить динамическим характеристикам, если ваша схема работает на высоких частотах.