Infineon SPW11N80C3FKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon SPW11N80C3FKSA1.

Общее описание

Infineon SPW11N80C3FKSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях, где критически важны высокий КПД, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Ключевая особенность линейки CoolMOS™ C3 — оптимальный баланс между низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg). Это позволяет создавать более компактные и эффективные преобразователи с меньшими коммутационными потерями, особенно в жестких режимах переключения (например, в LLC-резонансных полумостовых схемах).

• Основное назначение: Силовые ключи в блоках питания для ПК, серверов, промышленного оборудования, телекоммуникаций, сварочных инверторов.
• Корпус: TO-247 — классический, надежный корпус для мощных компонентов с хорошим отводом тепла.
• Упаковка: Обычно поставляется в трубке (Tube) или трей (Tray).

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | CoolMOS™ C3 | Оптимизация для жесткого переключения | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 800 В | Основное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.45 Ом (макс.) @ VGS = 10 В, ID = 5.5 А | Низкое сопротивление снижает проводимые потери | | Стоковый ток (ID) при 25°C | 11 А | Непрерывный ток стока | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | Пиковый ток в импульсном режиме | | Заряд затвора (Qg) | ~28 нКл (тип.) | Низкий заряд снижает потери на управление | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон для управления | | Макс. напряжение "затвор-исток" (VGS)| ±30 В | | | Мощность рассеяния (PD) | 156 Вт @ Tc = 25°C | Зависит от условий теплоотвода | | Динамические характеристики | Быстрое восстановление внутреннего диода | Важно для режимов обратного хода | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Корпус | TO-247 | |

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость и переключение.
• Высокая надежность: Технология C3 обеспечивает повышенную стойкость к лавинным процессам (UIS).
• Уверенная работа в жестких режимах: Оптимален для топологий типа LLC, где ключ включается при нулевом напряжении (ZVS).

Парт-номера и аналоги (совместимые модели)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать не только основные параметры (800В / 11А), но и технологию (C3), заряд затвора (Qg) и корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• SPW11N80C3 (та же модель, но может отличаться суффикс упаковки, например, без "FKSA1").
• IPP11N80C3 — практически полный аналог в корпусе TO-220 FullPAK (для меньшей мощности рассеяния).
• SPW20N60C3 — 600В, 20А. Аналог по технологии, но для схем с более низким напряжением.
• SPW17N80C3 — 800В, 17А. Более мощный собрат в той же серии.

2. Совместимые аналоги от других производителей (наиболее популярные):

При замене обязательна проверка распиновки и монтажного чертежа, так как они могут отличаться.

• STMicroelectronics:

  • STW11N80K5 — аналог из серии MDmesh™ K5, оптимизированной для жесткого переключения. Очень близкие параметры.
  • STP11N80K5 — аналог в корпусе TO-220.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCP11N80 — из серии SuperFET® II. Хороший аналог по характеристикам.
  • FCP11N80NT — аналог в корпусе TO-220FP.

• Vishay / Siliconix:

  • SUP11N80-18 — из серии "Rapid Q1", но может отличаться динамическими характеристиками.

• Toshiba:

  • TK11A80W — N-канальный MOSFET 800В от Toshiba.

3. Важные замечания по замене:

• CoolMOS C3 vs. другие: Не все 800В MOSFET одинаковы. Аналоги из других линеек (например, Superjunction от других брендов) могут иметь отличия в динамическом поведении, емкостях и стойкости к лавинному пробою. Это может потребовать корректировки схемы управления (драйвера).
• Перед заменой всегда сверяйте:
  1. Распиновку корпуса (Pinout).
  2. Вольт-амперные (V-A) и емкостные (C-V) характеристики.
  3. Характеристики внутреннего диода (trr).
• Для новых разработок рекомендуется рассматривать более новые поколения, такие как CoolMOS™ C7 или P7 от Infineon, которые обладают еще лучшими показателями.

Вывод: SPW11N80C3FKSA1 — это проверенный, надежный и эффективный силовой ключ для построения мощных импульсных источников питания. При его замене предпочтение стоит отдавать прямым аналогам от Infineon (серия C3) или тщательно подобранным альтернативам от ST (K5) или ON Semi (SuperFET), учитывая все нюансы работы конкретной схемы.