Infineon SPW32N50C3FKSA1

Отличный выбор! Infineon SPW32N50C3FKSA1 — это мощный и надежный полевой транзистор (MOSFET), оптимизированный для жестких условий работы в импульсных источниках питания и схемах управления мощностью.

Полное описание

SPW32N50C3FKSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Эта линейка является эволюцией знаменитых CoolMOS и предлагает оптимальный баланс между тремя ключевыми параметрами: эффективностью (низкие динамические потери), надежностью и стоимостью.

Ключевая особенность и назначение: Транзистор создан для работы в жестком переключении (hard-switching) топологиях, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), прямоходовые преобразователи (Forward), мостовые схемы (Half/Full Bridge).
• Инверторы и приводы двигателей.
• Сварочное оборудование.
• Серверное и телекоммуникационное оборудование.

Его основная "фишка" — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении, что минимизирует проводимые потери и нагрев. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | Infineon CoolMOS™ C3 | Оптимизирована для жесткого переключения | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с тремя выводами | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 500 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (I_D) при 25°C | 32 А | При идеальном охлаждении | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.085 Ом (макс.) при V_GS=10 В | Ключевой параметр для потерь проводимости. Очень низкое значение. | | Заряд затвора (Q_g) | 75 нКл (тип.) | Влияет на легкость управления и потери на переключение | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень для управления | | Макс. мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт | При температуре корпуса 25°C |

Важные особенности:

• Быстрая интегрированная обратная диодная сборка: Имеет встроенный быстрый обратный диод (Body Diode) с хорошими характеристиками восстановления.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (100% тестирование): Уверенно выдерживает кратковременные перенапряжения, что критично для индуктивных нагрузок.
• Повышенная стойкость к динамическому включению (dv/dt): Устойчив к паразитному включению из-за быстрых перепадов напряжения.

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Этот транзистор имеет уникальный парт-номер Infineon. Прямые функциональные аналоги от других производителей с похожими ключевыми параметрами (500В, ~0.08-0.1 Ом, 30-40А, TO-247):

• STMicroelectronics: STW32N50M2, STW34N50M2
• ON Semiconductor: FCP32N50, FCPF32N50
• Vishay (Siliconix): SPP32N50C3
• IXYS: IXFH32N50P3
• Fairchild/ON Semi (устаревшие, но встречаются): FQA32N50

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитом, особенно по таким параметрам, как заряд затвора (Q_g), емкости и характеристики встроенного диода, так как они могут влиять на работу драйвера и эффективность схемы.

Совместимые модели в линейке Infineon CoolMOS C3

Внутри семейства CoolMOS C3 можно подобрать модель с другими характеристиками, исходя из потребностей по току, сопротивлению или корпусу:

• Для меньшего тока / меньшего корпуса:

  • SPP20N50C3 (20А, 0.19 Ом, TO-220)
  • SPP17N50C3 (17А, 0.22 Ом, TO-220)
  • IPW50R190C3 (46А, 0.19 Ом, TO-247) - альтернативная серия.

• Для большего тока / меньшего сопротивления (более высокая эффективность):

  • SPW47N50C3 (47А, 0.065 Ом, TO-247)
  • SPW40N50C3 (40А, 0.073 Ом, TO-247)

• В других корпусах:

  • IPP32N50C3 (32А, 0.085 Ом, TO-220 FullPAK) - для лучшего теплоотвода, чем стандартный TO-220.
  • IPD32N50C3 (32А, 0.085 Ом, D²PAK/TO-263) - для поверхностного монтажа (SMD).

Вывод

Infineon SPW32N50C3FKSA1 — это проверенный, надежный и эффективный силовой ключ для построения мощных импульсных блоков питания и инверторов. Его главные преимущества — низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая надежность и хороший баланс цены и производительности. При замене или выборе аналога обязательно изучайте даташит, уделяя внимание динамическим параметрам.