Infineon SPW47N65C3

Отличный выбор! Infineon SPW47N65C3 — это мощный и надежный транзистор, пользующийся популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание

SPW47N65C3 — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Это ключевое семейство, оптимизированное для высокоэффективных и надежных решений.

Основное назначение:

• Импульсные источники питания (SMPS): Особенно в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как прямоходовые (Forward), мостовые (Bridge) и полумостовые (Half-Bridge) преобразователи.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC): В основном в каскадах Boost PFC.
• Инверторы и промышленное оборудование.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ C3:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и отличные динамические характеристики (низкие заряды Qg, Qgd).
• Высокая надежность: Расширенная область безопасной работы (SOA), стойкость к перегрузкам по току и напряжению.
• Оптимизация для работы на частотах до ~100 кГц: Идеальный баланс между коммутационными потерями и проводимостью.

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET, технология CoolMOS™ C3.
• Корпус: TO-247 (надежный, с хорошим теплоотводом).
• Напряжение сток-исток: 650 В (VDS) — позволяет работать в сетях 220В/380В с запасом.
• Максимальный постоянный ток стока: 47 А (при TC=25°C) — очень высокий показатель.
• Сопротивление в открытом состоянии: 0.065 Ом (макс., при VGS=10 В и ID=23.5 А) — RDS(on) typ. обычно около 0.055 Ом. Низкое значение снижает потери на проводимость.
• Заряд затвора (Qg): 140 нКл (тип., при VGS=10 В) — умеренный заряд, облегчающий управление.
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3.5 - 5.0 В (стандартный уровень для управления).

Важные динамические параметры:

• Время включения (ton): ~ 27 нс
• Время выключения (toff): ~ 65 нс
• Внутренний диод: Есть (интегрированный обратный диод, body-diode). Время восстановления (trr) ~ 110 нс.

Тепловые параметры:

• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт (при TC=25°C).
• Температура перехода (Tj): от -55°C до +150°C.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может обозначаться в спецификациях или на корпусе с небольшими вариациями. Основной номер — SPW47N65C3.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Подбор аналога требует проверки по ключевым параметрам: VDS=650В, ID ~47А, RDS(on) ~0.065 Ом, корпус TO-247 и динамические характеристики (Qg, trr).

1. Почти полные аналоги (сопоставимого класса):

   • STMicroelectronics: STW47N65M5 (MDmesh™ M5) — один из самых популярных и доступных аналогов.
   • ON Semiconductor (Fairchild): FCP47N65 (SuperFET III) — очень близкие параметры.
   • Power Integrations (как дискретный компонент): Транзисторы из линейки, но у них часто своя экосистема.

2. Аналоги с очень похожими параметрами (следует сверять даташиты):

   • IXYS (Littelfuse): IXFH47N65X2
   • Toshiba: TK47A65W (N-канальный MOSFET 650V/47A).

3. Аналоги от Infineon (другие серии или с небольшими отличиями):

   • SPW47N60C3 (600В вместо 650В) — может не подойти для приложений с высокими скачками напряжения.
   • IPP47N65C3 — в корпусе TO-220 FullPAK (для меньшей мощности).
   • Более новые поколения от Infineon: CoolMOS™ C7 или G7 (например, IPA60R999C7), но у них часто другое наименование, и они могут быть более эффективными, но требуют проверки распиновки и управляющих характеристик.

Важное примечание по замене

Хотя перечисленные модели электрически близки, перед заменой всегда необходимо:

1. Внимательно сравнивать даташиты, особенно графики зависимостей, динамические параметры (Qg, Coss) и характеристики внутреннего диода (trr).
2. Учитывать топологию схемы (жесткое/мягкое переключение). Для PFC и LLC иногда критичны разные параметры.
3. Проверять разводку печатной платы (pinout), хотя для TO-247 она обычно стандартная.

SPW47N65C3 — это проверенный "рабочая лошадка" для мощных блоков питания, сочетающая в себе надежность, хорошую эффективность и доступность на рынке.