Infineon TDB6HK124N16RR

Отличный выбор! Infineon TDB6HK124N16RR — это мощный и технологичный силовой полупроводник. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

TDB6HK124N16RR — это IGBT-транзистор (Insulated-Gate Bipolar Transistor) в современном корпусе H-TOP (Infineon Topside cooled), предназначенный для высокочастотных инверторных приложений.

Его ключевая особенность — интегрированный быстрый диод (RFC Diode - Reverse Conducting Diode) в одном кристалле с транзистором. Это не просто антипараллельный диод, а оптимизированная конструкция, которая обеспечивает:

• Минимальные коммутационные потери при выключении (за счет "мягкого" восстановления диода).
• Более компактную и простую схему (не требуется отдельный диод).
• Улучшенную надежность за счет монолитной интеграции.

Корпус H-TOP означает, что основное тепло отводится через верхнюю медную пластину, что идеально подходит для систем с жидкостным охлаждением или прижимным радиатором. Это позволяет достичь очень высокой плотности мощности.

Основные области применения:

• Сварочное оборудование (инверторные источники питания).
• ИБП (UPS) высокой мощности.
• Промышленные приводы (частотные преобразователи).
• Системы накопления энергии (ESS) и солнечные инверторы.

Технические характеристики (кратко)

• Тип прибора: IGBT с обратным диодом (RC-IGBT, TRENCHSTOP™ 6).
• Корпус: TO-247 H-TOP (Isolated).
• Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces): 1600 В — ключевая характеристика, позволяющая работать в сетях 380В, 400В, 480В 3~ с достаточным запасом.
• Номинальный ток коллектора (Ic @ 100°C): 60 А.
• Ток импульса (Icp): 120 А.
• Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (Vce(sat) тип.): 1.55 В (при Ic=60A, Vge=15V) — низкое значение, указывает на малые проводимые потери.
• Энергия включения (Eon тип.): 5.0 мДж.
• Энергия выключения (Eoff тип.): 1.6 мДж.
• Параметры встроенного диода:
  • Прямое напряжение (Vf тип.): 1.65 В (при If=60A).
  • Время обратного восстановления (trr тип.): 55 нс.
• Максимальная температура перехода (Tvj): +175 °C.
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0.25 К/Вт — отличный показатель для эффективного охлаждения.

Ключевые технологические преимущества (семейство TRENCHSTOP™ 6):

• Оптимизация потерь: Идеальный баланс между низкими проводимыми потерями (Vce(sat)) и минимальными коммутационными потерями (Eon/Eoff).
• Высокая стойкость к перенапряжениям и коротким замыканиям.
• Широкий диапазон рабочих температур.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус (H-TOP) и наличие встроенного диода.

Прямые аналоги и модификации от Infineon:

• TDB6HK124N16RRHOSA1 — полный порядковый номер для заказа.
• В той же линейке существуют версии с разными токами (например, TDB6Hx124N16RR, где x может обозначать другой номинальный ток).
• Модели в корпусе TO-247 3-pin (без изолированной верхней пластины, с классическим креплением) — например, IKW75N160CH6 (75А, 1600В, с диодом). Внимание! Они не являются прямым конструктивным аналогом из-за другого способа монтажа и охлаждения.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (Требуется проверка datasheet и консультация с инженером!):

1. Fuji Electric:

   • 2MBI200XBE-160-50 (200А, 1600В, двухключевой модуль, но может использоваться в схемах, где требуется такая мощность на плечо).

2. Mitsubishi Electric:

   • CM600HA-34A (600А, 1400В, модуль) — для значительно более мощных систем.
   • Для прямого аналога в дискретном исполнении нужно искать в сериях X Series или HVIGBT.

3. ON Semiconductor (Fairchild):

   • FGH60T160SMD (60А, 1600В, TO-247, без встроенного диода). Важно: Диод нужен внешний.
   • FGH60N160SMD — аналогично.

4. STMicroelectronics:

   • STGW60H160DF (60А, 1600В, TO-247, со встроенным диодом) — один из самых близких по концепции и параметрам аналог от другого производителя.

ВАЖНОЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Перед заменой на модель другого производителя обязательно необходимо:

1. Сравнить полные даташиты, уделяя внимание динамическим параметрам (Eon, Eoff, trr), характеристикам диода и емкостям.
2. Проверить разводку выводов (pinout) корпуса.
3. Убедиться в совместимости рекомендуемых напряжений на затвор (Vge) и драйверов.
4. Учесть механические различия (способ крепления и охлаждения для H-TOP).

Вывод

Infineon TDB6HK124N16RR — это современный, высокоэффективный IGBT-транзистор, созданный для требовательных инверторных применений, где критичны КПД, надежность и компактность. Его главные козыри — интегрированный диод, корпус H-TOP для лучшего охлаждения и оптимизированные динамические характеристики благодаря технологии TRENCHSTOP™ 6. Наиболее близким прямым конкурентом по схемотехнике можно считать STGW60H160DF от STMicroelectronics.