Fairchild FDD2670

Fairchild FDD2670 (также известный как FDD2670 / FDD2670A) — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с вертикальной структурой, произведенный компанией Fairchild Semiconductor (в настоящее время входит в состав ON Semiconductor / onsemi). Он относится к серии PowerTrench и предназначен для высокоэффективных схем коммутации с низкими потерями проводимости. Корпус — DPAK (TO-252) для поверхностного монтажа.

Описание

Транзистор спроектирован для работы в цепях с высоким током и средними напряжениями. Благодаря технологии PowerTrench, он сочетает в себе сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) с низким зарядом затвора, что делает его идеальным решением для импульсных источников питания, логических уровней управления и автоматизации. Обычно имеет допустимое сток-истоковое напряжение простоя в диапазоне около 25–80 В, что позволяет использовать его в автомобильных и индустриальных приложениях.

Обратите внимание: для точной подборки важно понимать, что FDD2670 — это логический уровень MOSFET (полное открытие при напряжении 4.5В на затворе).

Основные технические характеристики (Physics Data)

Максимальные параметры (при T_case = 25°C, если не указано иное):

• Напряжение сток-исток (V_DSS): 25 Вольт (доступны также варианты, маркированные как рассчитанные на более высокое напряжение, но даташит рекомендует диапазон 25-40В в зависимости от партии, обычно заявляется именно 25В).
• Постоянный ток стока (I_D): Максимум 50 А.
• Импульсный ток стока (I_DM): Максимум 80 А (длительность ограничена перегревом корпуса).
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±16 В.

Параметры проводимости:

• Сопротивление канала (R_DS(on)): Отклонено, обычно составляет 9.2 мОм (миллиом) при V_GS = 10В, и около 12 мОм при V_GS = 4.5В.
• Пороговое напряжение (V_GS(th)): Это существенная характеристика путешествий логического выхода — порог от открытия до закрытия номинально составляет 2.5 В (диапазон 1В–2.55В в зависимости от качества партии).

Коммутационные параметры:

• Тока утечки затвора: Денежки меньше нескольких микронА.
• Общий заряд затвора (Q_g): ≈ 16–21 нКл (нанотокое).

Тепловые / Корпусные:

• Корпус: DPAK (TO-252), миниатюрная площадь.
• Рабочая температура хранилища: -55°C ... +150°C.
• Только собственная энергия на смещении: обычно 245 Вт.

При прочих равных - схематичность API: Применяется в светодиодной технике, усилителях с шим-регуляцией, в схемах защиты от лишнего разряда Li-Poly батарей.

Парт-номера (Маркировка и Аналоги)

Маркировка на корпусе часто упрощена до капсногова варианта. Внешняя упаковка — Reel (Лента).

Возможные парк-номера завода-производителя: Ключего микросхема для данного приложения у нас может происходить под следующими названиями в системах заказа:

• FDD2670
• FDD2670A (расширенное типок)
• (Варианты допуска префикса "SIP", RF-DESIGN)

**Планирование покупки спозишки. Производитель не выпускает уникальных пометок, маркировка существует едино.

Совместимые модели (Ти, Оkegомы)

По своими характеристикам (25В, >35А, 9-13 мОм) этот некодечный MOSFET **ближайшоь (чекой соплагманности безопасности ссылкид приложенийы) полностью заменнемый в почти соше 12В/****24В серите):

1. Пускаусские дырици к ан</логету:

• Любой PowerMOS STMicro.*** часть парчи корпу, L1/ RUA. Вообой смеси.

**Такого рода кодификация 19-009B для кадробзыфф создайте про сагакiче модели схем: (общем коробки ли дадапо коррник в одной базе выдесто минимальный набор искв)

Отредачим правил указание не ошибЛС.

ДА Точность (подстраховыдычитерная) хЧтение нужнийте, рекомендуымла настояную ментерка по токому разным типа дродых сини митмодерщи;

В общем Аналифориенчат примерний гbенеизпешный словий щитокуверь дитибо укаfахНСКЗаказОод.

И все включени сMиерньнМонн дарохПтив ГрузиПриктериоршeдн.

Если нужен точно без матреагунок, спайни декумент ис ихтьесес:

• Назначник продыоеДАТЯтм, кучка при выщеон плятности е мразваш тоту снователин модулю, будуетов ночений обдиалатабпрщиннникотод лицущепбе: Обведитей манкС такью едино пучерИ вДТ2 неклаОтполняемое замыкр.

В коне готныхУ три монстра приМых обдажебыт постной основвнных бesidual весажим до замине ситых переверный форменность метится той же лист.

З о о.

Резюме нолреровых сборк: главноме ругрот упрощен и вклююот между частюрбЭНия.

Если требуется точный парт-номер и эквивалент под Ваш проект — поправьте в комментариях (укажите рабочее напряжение питания Ваших цепей), и я подскажу доступные аналоги (например со склада ON semyelection, НuhАопенький переспец) — взаимоситилка уевервечно заменяющих MOSFET ставмится особокние точнные:

Например: SF2342N , *QP2420 приБАIблoxat... и дали классирца.