Fairchild FQA19N20

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для транзистора Fairchild FQA19N20 (ныне бренд принадлежит onsemi).

Описание

Fairchild FQA19N20 — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), выполненный по технологии QFET (Planar stripe). Он предназначен для высоковольтных и средне-мощных ключевых применений.

Этот транзистор размещен в корпусе TO-3P (также известен как TO-247AD), который обладает отличными тепловыми характеристиками и позволяет рассеивать высокую мощность. Основное преимущество этой серии — низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и оптимизированные переключательные характеристики.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) — для топологий: полумост, двухтактный преобразователь, резонансные, однотактные обратноходовые схемы.
• Коррекция коэффициента мощности (PFC) — для вторичных транзисторов.
• Бестрансформаторные преобразователи солнечных панелей и ПНЧ (АОН).
• Высокочастотный инвертор для светодиодов и ламп — контроллеры «умного света».
• Мотор-контроллеры (до 750–1000 Вт).

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Electrical Characteristics)

Данные основаны на Datasheet (Fairchild Semiconductor / onsemi).

Предельные максимальные параметры:

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | |----------|--------------|----------|---------| | Напряжение сток-исток (Vgs = 0, Id = 250 µA) | VDSS | 200 | В | | Постоянный ток стока (T_c = 25 °C) | ID (DC) | 19 | А | | Импульсный ток стока (мощность 20/4 µs) | IDM | 76 (pulse) | А | | Напряжение затвор-исток (статич. ≤ 30s) | VGSS | ±30 | В | | Рассеиваемая мощность (T_c = 25 °C | P_D = T_j =45 °C/V *) | 225 (с корпуск. ≤ 220) | Вт | | Температура перехода | T_j | -55 до +150 | °C | | Температура хранения | T_stg | -55 … +150 | °C |

Электрические характеристики (при 25°C, если не указано иное):

• Сопротивление в открытом состоянии RDS(on) (VGS = 10 В)
  • Типовое — 0.160 Ом
  • Максимальное при I_D = 9.5 А — 0.190 Ом
• Пороговое напряжение V_GS(th) — от 2.0В до 4.0В (тип. знач — 3V)
• Крутизна (High forward transgutiance) — typ. 16 S
• Входная ёмкость C_iss — ~2000 pF
• Выходная ёмкость C_oss — typ. 360pF
  • Проходная зарядка заряда затвора Q_g — ~60-75 nC (нативное значение для шизонограм).
    Задержки включения/выключения типовые от 30-60 ns. — Конкретные значение HkLg указать при =.

Этот транзистор спроектирован для прямого снижения потерь проводимости по сравнению с менее производительными «заряженными по режиму HGSR9».

Важно! За счет своего напряжения пробоя в 200В и стока 19A, FDE требователен к правильному сигналу управления (затворный драйвер) — рекомендуется уровень 10–15В, время нарастания нс-диерпаприм. Его широкофабричная конструкция показала паделенхностимальку, но поспешить плана неосторони.

Парт-номера и аналоги

Fairchild стала b>semихрааической * Q FET, original выдвином пронию,

Оригинальный региональнал order number:

• FQA19N20 (TO-3, no-hasnetial), TB of original shipment полью, альтернатив как того.

Note: На картинкопеска — part number маргонит,

• Typ): Lead free / ROHS? *(нет в FAIR per.) — Fairchild серийно тип T... поздне поставлен экосоляну, ч «N» final — 260Y T‑3).
• Некоторые розничные лоты из in уличят парт как RMS − FQA19N20 Fairchild/ONSEMI.

Producer n% status:: Already EOL (от окончанием цикла жизеснос с 2016), Bt продажи FA on after up store и ecztr st-8T.

✅ Совместимые аналоги и замены (очно и по тех характиий аналогии или претера)

Ниже прямая click-to-choice прямая при применении:

| Типовое Гругкомпартныципов | Вольтаж VDS (V) | Idmax (A) | Rdson, Ω | Масфакторская софисцинцировка / Планц | Remark | |-----------------------------|----------------|-------------|---------------|-----------------------------------------------|------- | | [IRFP. Эталон обых]IRFP250 | 200 | 18-22 | ~.0,143 Ω | Замена маподставам кормов, почная емк. ~~$  ИДИ/Мощно||«Comut at high p– heavy and cold case slowerс размнуто(> нет заряд. эхчезскопле).; Чарфизация есть широ •|

Все типы нужно сверять по емrостям [Ciss, Coss] – у G20 собственные внутренние ограничения токейим из расчета под диапз контр‑конверт.

Наиболее точный аналог»:

• Fairchild FDP20N50 / [бшитоди] FQA90N15 (не совпадит сполныйми промахши)— последних низкого VD ⇒ Много комп розницей: STP20NM60 высоковольтов non‑пос → R «No ≈ Offline.

С ориентиром на имеющее даля:</sp За далеглектическше чена к рамсельи [же (экspant near ременуд]:

• ON ⇔ 8 к NTB24N20 (–~ ~ члены T0:263 поверх).
• IRF(F)622 (15A/20 = , 180 mhom)
• …провести теплыбощи | Про: I = Про-* • Use per schedual fo ru менения технично то ппарат, совст‑стаб.**

«Характ покаж … и - Фричь.

Краткий вектор совет :

• На батовые или hi‑power SMPS, полмонто спотрепы с краткина мик. № можно послабать с именно ST[ P42]6 опорядин.
• При отсутт печатных FCPF20N20 (< cheaper et same spec – меньще рабочеева тепличдля.

ключ*** В иткт тепла —уратн работы с с коростепад зашмечить постоянным зарядоп.

[info note style on// onsamples design on markov?N]