Fairchild SSS10N60A

Это описание и технические характеристики для дискретного MOSFET Fairchild SSS10N60A (производство Fairchild Semiconductor, ныне входит в ON Semiconductor). Он относится к семейству PowerTrench®.

1. Общее описание

Fairchild SSS10N60A — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, разработанный для высоковольтных импульсных источников питания (SMPS), систем коррекции коэффициента мощности (PFC), блоков питания компьютеров (PC ATX) и инверторов. Он использует технологию PowerTrench® MotGatet®, которая обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и малый заряд затвора (Qg), что увеличивает КПД.

Ключевые особенности:

• Высокая скорость переключения.
• Низкое статическое сопротивление сток-исток: обычно 0.45 Ом (макс. 0.55 Ом) при Vgs = 10 В.
• Изолируемая подложка для простоты монтажа (корпус TO-220).
• Защита от пробоя (лавинный режим).
• Рабочая температура: -55°C...+150°C.

2. Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица | |----------|----------|--------------| | Напряжение сток-исток (VDSS) | 600 | В | | Ток стока (ID @ Tc=25°C) | 10 | А | | Ток стока (ID @ Tc=100°C) | 6.3 | А | | Импульсный ток стока (IDM) | 30 | А | | Напряжение затвор-исток (VGSS) | ±30 | В | | Мощность рассеивания (PD Tc=25°C) | 115 | Вт | | Пороговое напряжение (VGS(th)) | 3.0 ... 5.0 | В | | Заряд затвора (Qg @ 10 В) | 30 | нКл | | Время нарастания (tr) | ~25 | нс | | Время спада (tf) | ~12 | нс | | Типовое сопротивление RDS(on) | 0.45 | Ом | | Корпус | TO-220 | - | | Технология | PowerTrench | - |

3. Парт-номер (Part Number)

Есть несколько вариантов оформления:

• SSS10N60A — основной артикул на корпусе TO-220.
• SSS10N60A-NL — версия без свинца (Lead-free / RoHS совместимая, как правило, с полным маркированием или сокращением ECO).
• В документации Fairchild (ныне ON Semi) парт-номер в datasheet обычно идёт только в базовом виде: SSS10N60A.
• FAIRCHILD SSS10N60A — иногда указывают производителя для ясности.

4. Совместимые модели и аналоги

Чаще всего эти компоненты взаимозаменяемы по основным параметрам (VDSS 600 В, ID 10 А). Перед заменой обязательно сравнивай прямое сопротивление RDS(on), UGS(th) и токи ID — они могут незначительно отличаться:

| Аналог / Аналог-субститут | Совместимость | |----------------------------|-----------| | STP10NK60Z (STMicroelectronics) | Прямой аналог: 600V / 10A, SuperMESH, TO-220 | | IRFB10N60A или IRFB460 (Infineon) | 600V / 10 A, но у IRFB значения Id могли быть до 11 A — подходит | | W10NK60Z (западный клон) | Меньшее качество, но электрически аналогичен | | МТР10N60E | Китайский аналог под похожие характеристики | | FQP10N60 (Fairchild) | 600V / 10A · точно такой же кремний, просто в серии FQ (отличается упаковкой? Проверь! У FOP — "F" FO? T Точно не нужно!) - уточню: FQP10N60 — тоже аналог, но бывает разный по RDS(on), рекомендую лишь для бюджетно). |

Важно! Не все MOSFET с параметрами 600 В и 10 А будут взаимозаменяемы: проверь заряд затвора (Qg) и пороговое напряжение, потому что различие может сделать цепь не совместимой by номинал.

5. Дополнительно

• Не использовать FQPF10N60 (из серии TO-220F) — у изолированного корпуса другой теплоотвод к подложке.
• Защитный диод (body diode) у SSS10N60A медленный — нельзя использовать в крайне-freq мостовых схемах (нужен дополнительная Schottky или ультрасофтный FET, как STP10N60M2), но для простых резонансных or одиночных тотах рапс — это норм.
• Для точного источника датащита — лучше ищи на сайте ONSemi после скана имени SSS10N60A.

Кратко: SSS10N60A — ком’ячкова 600 V / 10 A MOSFET в TO-220, работа св нагр = до 115 W. Бюджетные аналоги – STP10NK60Z / IRFB460. Не совмести на прямую с LSF вариантами.